РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RGTH60TS65DGC11

Производитель: Rohm Semiconductor
Арт: 79976
337.62 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Rohm Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 58A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A 
Power - Max 194W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 58nC 
Td (on/off) @ 25°C 27ns/105ns 
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 58ns 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247N 

Описание

IGBT 650V 58A 194W TO-247N - IGBT Trench Field Stop 650V 58A 194W Through Hole TO-247N

IGBT транзисторы RGTH60TS65DGC11

Datasheet RGTH60TS65DGC11 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 94 шт.
Мин. кол-воЦена
337.62 р. 
10 301.21 р. 
25 271.12 р. 
100 247.00 р. 
250 222.90 р. 
500 200.01 р. 
1,000 168.68 р. 
2,500 160.65 р. 
RGTH60TS65DGC11
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.