РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RGTH60TS65GC11

Производитель: Rohm Semiconductor
Арт: 79975
331.50 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Rohm Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 58A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A 
Power - Max 197W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 58nC 
Td (on/off) @ 25°C 27ns/105ns 
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247N 

Описание

IGBT 650V 58A 197W TO-247N - IGBT Trench Field Stop 650V 58A 197W Through Hole TO-247N

IGBT транзисторы RGTH60TS65GC11

Datasheet RGTH60TS65GC11 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 132 шт.
Мин. кол-воЦена
331.50 р. 
10 295.60 р. 
25 266.06 р. 
100 242.39 р. 
250 218.74 р. 
500 196.28 р. 
1,000 165.53 р. 
2,500 157.65 р. 
RGTH60TS65GC11
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.