РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RGTH80TS65DGC11

Производитель: Rohm Semiconductor
Арт: 79986
414.12 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Rohm Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 70A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A 
Power - Max 234W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 79nC 
Td (on/off) @ 25°C 34ns/120ns 
Test Condition 400V, 40A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 58ns 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247N 

Описание

IGBT 650V 70A 234W TO-247N - IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N

IGBT транзисторы RGTH80TS65DGC11

Datasheet RGTH80TS65DGC11 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 277 шт.
Мин. кол-воЦена
414.12 р. 
10 369.55 р. 
25 332.56 р. 
100 302.99 р. 
250 273.43 р. 
500 245.34 р. 
1,000 206.92 р. 
2,500 197.06 р. 
RGTH80TS65DGC11
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.