РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJH1CV7DPQ-E0#T2

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 82405

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 70A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 35A 
Power - Max 320W 
Switching Energy 3.2mJ (on), 2.5mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 166nC 
Td (on/off) @ 25°C 53ns/185ns 
Test Condition 600V, 35A, 5 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 200ns 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 1200V 70A 320W TO247 - IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы RJH1CV7DPQ-E0#T2

Datasheet RJH1CV7DPQ-E0#T2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Цена доступна по запросу
RJH1CV7DPQ-E0#T2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.