РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJH60D5BDPQ-E0#T2

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 80899
536.52 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 75A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A 
Power - Max 200W 
Switching Energy 400µJ (on), 810µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 78nC 
Td (on/off) @ 25°C 50ns/130ns 
Test Condition 300V, 37A, 5 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 25ns 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 
Base Part Number RJH60D 

Описание

IGBT 600V 75A 200W TO-247 - IGBT Trench 600V 75A 200W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы RJH60D5BDPQ-E0#T2

Datasheet RJH60D5BDPQ-E0#T2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Мин. кол-воЦена
536.52 р. 
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.