РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJH65D27BDPQ-A0#T2

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 82595

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 100A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 50A 
Power - Max 375W 
Switching Energy 1mJ (on), 1.5mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 175nC 
Td (on/off) @ 25°C 20ns/165ns 
Test Condition 400V, 50A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 80ns 
Operating Temperature 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247A 

Описание

IGBT TRENCH 650V 100A TO247A - IGBT Trench 650V 100A 375W Through Hole TO-247A

IGBT транзисторы RJH65D27BDPQ-A0#T2

Datasheet RJH65D27BDPQ-A0#T2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
RJH65D27BDPQ-A0#T2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.