РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJH65T47DPQ-A0#T0

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 82599

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 90A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A 
Power - Max 375W 
Switching Energy 520µJ (on), 560µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 127nC 
Td (on/off) @ 25°C 45ns/190ns 
Test Condition 400V, 45A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 100ns 
Operating Temperature 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247A 

Описание

IGBT TRENCH 650V 90A TO247A - IGBT Trench 650V 90A 375W Through Hole TO-247A

IGBT транзисторы RJH65T47DPQ-A0#T0

Datasheet RJH65T47DPQ-A0#T0 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 13 шт.
Цена доступна по запросу
RJH65T47DPQ-A0#T0
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.