РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJK0629DPE-00#J3

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 135514

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Active 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 100W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 43A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 4-LDPAK 
Package / Case SC-83 

Описание

MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK - N-Channel 60V 85A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK

Транзисторы полевые RJK0629DPE-00#J3

Datasheet RJK0629DPE-00#J3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.