| Manufacturer | Renesas Electronics America |
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4150pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 15A, 10V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | LFPAK |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK - N-Channel 80V 30A (Ta) 55W (Tc) Surface Mount LFPAK
Транзисторы полевые RJK0852DPB-00#J5
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.