РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJK2555DPA-00#J0

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 134377

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Active 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 30W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104 mOhm @ 8.5A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-WPAK 
Package / Case 8-PowerWDFN 

Описание

MOSFET N-CH 250V 17A TO3P - N-Channel 250V 17A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-WPAK

Транзисторы полевые RJK2555DPA-00#J0

Datasheet RJK2555DPA-00#J0 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 13 шт.
Цена доступна по запросу
RJK2555DPA-00#J0
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.