РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJK6006DPP-E0#T2

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 134403

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Discontinued at Digi-Key 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 29W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-220FP 
Package / Case TO-220-3 Full Pack 

Описание

MOSFET N-CH 600V 5A TO220 - N-Channel 600V 5A (Ta) 29W (Tc) Through Hole TO-220FP

Транзисторы полевые RJK6006DPP-E0#T2

Datasheet RJK6006DPP-E0#T2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
RJK6006DPP-E0#T2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.