РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJK6024DPD-00#J2

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 133228

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Discontinued at Digi-Key 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Ta) 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 10V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 37.5pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 27.2W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 Ohm @ 200mA, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package MP-3A 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 

Описание

MOSFET N-CH 600V 0.4A MP3A - N-Channel 600V 400mA (Ta) 27.2W (Tc) Surface Mount MP-3A

Транзисторы полевые RJK6024DPD-00#J2

Datasheet RJK6024DPD-00#J2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Цена доступна по запросу
RJK6024DPD-00#J2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.