РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJK6026DPE-00#J3

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 134414

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Active 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 4-LDPAK 
Package / Case SC-83 

Описание

MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK - N-Channel 600V 5A (Ta) 62.5W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK

Транзисторы полевые RJK6026DPE-00#J3

Datasheet RJK6026DPE-00#J3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
RJK6026DPE-00#J3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.