РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJP4301APP-M0#T2

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 82531

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V 
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 10V @ 26V, 200A 
Power - Max 30W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Td (on/off) @ 25°C 50ns/100ns 
Test Condition 300V, 200A, 30 Ohm, 26V 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 Full Pack 
Supplier Device Package TO-220FL 

Описание

IGBT 430V TO200FL - IGBT 430V 30W Through Hole TO-220FL

IGBT транзисторы RJP4301APP-M0#T2

Datasheet RJP4301APP-M0#T2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Цена доступна по запросу
RJP4301APP-M0#T2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.