РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJP6085DPN-00#T2

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 80745
357.00 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 40A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 40A 
Power - Max 178.5W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 
Supplier Device Package TO-220AB 

Описание

IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB - IGBT 600V 40A 178.5W Through Hole TO-220AB

IGBT транзисторы RJP6085DPN-00#T2

Datasheet RJP6085DPN-00#T2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 25 шт.
Мин. кол-воЦена
357.00 р. 
10 318.65 р. 
25 286.74 р. 
RJP6085DPN-00#T2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.