РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJP60D0DPM-00#T1

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 82349

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 45A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 22A 
Power - Max 40W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 45nC 
Td (on/off) @ 25°C 35ns/90ns 
Test Condition 300V, 22A, 5 Ohm, 15V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3 
Supplier Device Package TO-3PFM 
Base Part Number RJP60D 

Описание

IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM - IGBT 600V 45A 40W Through Hole TO-3PFM

IGBT транзисторы RJP60D0DPM-00#T1

Datasheet RJP60D0DPM-00#T1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
RJP60D0DPM-00#T1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.