РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJP65T43DPQ-A0#T2

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 79989
430.44 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 60A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A 
Power - Max 150W 
Switching Energy 170µJ (on), 130µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 69nC 
Td (on/off) @ 25°C 35ns/105ns 
Test Condition 400V, 20A, 10 Ohm, 15V 
Operating Temperature 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247A 

Описание

IGBT TRENCH 650V 60A TO247A - IGBT Trench 650V 60A 150W Through Hole TO-247A

IGBT транзисторы RJP65T43DPQ-A0#T2

Datasheet RJP65T43DPQ-A0#T2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 30 шт.
Мин. кол-воЦена
430.44 р. 
10 384.23 р. 
25 345.78 р. 
RJP65T43DPQ-A0#T2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.