РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RJP65T54DPM-A0#T2

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 82600

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 60A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.68V @ 15V, 30A 
Power - Max 63.5W 
Switching Energy 330µJ (on), 760µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 72nC 
Td (on/off) @ 25°C 35ns/120ns 
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V 
Operating Temperature 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case SC-94 
Supplier Device Package TO-3PFP 

Описание

IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP - IGBT Trench 650V 60A 63.5W Through Hole TO-3PFP

IGBT транзисторы RJP65T54DPM-A0#T2

Datasheet RJP65T54DPM-A0#T2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.