Manufacturer | Rohm Semiconductor |
Series | - |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7400pF @ 6V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 9A, 4.5V |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | MPT6 |
Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6 - P-Channel 12V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Транзисторы полевые RP1A090ZPTR
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.