РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RP1E090XNTCR

Производитель: Rohm Semiconductor
Арт: 133849

Техническая спецификация

Manufacturer Rohm Semiconductor 
Series 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 9A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package MPT6 
Package / Case 6-SMD, Flat Leads 

Описание

MOSFET N-CH 30V 9A MPT6 - N-Channel 30V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6

Транзисторы полевые RP1E090XNTCR

Datasheet RP1E090XNTCR (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Цена доступна по запросу
RP1E090XNTCR
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.