| Manufacturer | Rohm Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 10A, 10V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | MPT6 |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 - P-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Транзисторы полевые RP1E100RPTR
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.