РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RRS110N03TB1

Производитель: Rohm Semiconductor
Арт: 129665

Техническая спецификация

Manufacturer Rohm Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.6 mOhm @ 11A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-SOP 
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 

Описание

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC - N-Channel 30V 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Транзисторы полевые RRS110N03TB1

Datasheet RRS110N03TB1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Цена доступна по запросу
RRS110N03TB1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.