Manufacturer | Rohm Semiconductor |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 11A, 10V |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SOP |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC - N-Channel 30V 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Транзисторы полевые RRS110N03TB1
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.