РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

RSD200N10TL

Производитель: Rohm Semiconductor
Арт: 130739

Техническая спецификация

Manufacturer Rohm Semiconductor 
Series 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48.5nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 20W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 10A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package CPT3 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 

Описание

MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 - N-Channel 100V 20A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3

Транзисторы полевые RSD200N10TL

Datasheet RSD200N10TL (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
RSD200N10TL
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.