РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SGH23N60UFDTU

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81705

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 23A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 92A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 12A 
Power - Max 100W 
Switching Energy 115µJ (on), 135µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 49nC 
Td (on/off) @ 25°C 17ns/60ns 
Test Condition 300V, 12A, 23 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 60ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3 
Supplier Device Package TO-3P 
Base Part Number SG*23N60 

Описание

IGBT 600V 23A 100W TO3P - IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-3P

IGBT транзисторы SGH23N60UFDTU

Datasheet SGH23N60UFDTU (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
SGH23N60UFDTU
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.