РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SGL60N90DG3YDTU

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 81734

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type Trench 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V 
Current - Collector (Ic) (Max) 60A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 60A 
Power - Max 180W 
Switching Energy 
Input Type Standard 
Gate Charge 260nC 
Td (on/off) @ 25°C 
Test Condition 
Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-264-3, TO-264AA 
Supplier Device Package TO-264 

Описание

IGBT 900V 60A 180W TO264 - IGBT Trench 900V 60A 180W Through Hole TO-264

IGBT транзисторы SGL60N90DG3YDTU

Datasheet SGL60N90DG3YDTU (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.