РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SGS10N60RUFDTU

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 80124
243.78 р.

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 16A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 30A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A 
Power - Max 55W 
Switching Energy 141µJ (on), 215µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 30nC 
Td (on/off) @ 25°C 15ns/36ns 
Test Condition 300V, 10A, 20 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 60ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-220-3 Full Pack 
Supplier Device Package TO-220F 
Base Part Number SG*10N60 

Описание

IGBT 600V 16A 55W TO220F - IGBT 600V 16A 55W Through Hole TO-220F

IGBT транзисторы SGS10N60RUFDTU

Datasheet SGS10N60RUFDTU (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 11 шт.
Мин. кол-воЦена
243.78 р. 
10 219.30 р. 
100 176.30 р. 
500 144.84 р. 
1,000 120.01 р. 
SGS10N60RUFDTU
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.