| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 25 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | - |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.1 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Мощность макс.,Вт | 313 |
| Управляющее напряжение,В | 4 |
| Температурный диапазон,С | -55...150 |
| Корпус | TO247 |
| Особенности*: сфера применения | - |
SGW25N120, IGBT 1200В 25А TO247 - IGBT транзисторы
IGBT транзисторы SGW25N120, IGBT 1200В 25А TO247
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 453.12 р. |
| 7 | 387.04 р. |
| 70 | 364.57 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.