РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI1012R-T1-E3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 128992

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±6V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 600mA, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SC-75A 
Package / Case SC-75A 

Описание

MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A - N-Channel 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A

Транзисторы полевые SI1012R-T1-E3

Datasheet SI1012R-T1-E3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
SI1012R-T1-E3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.