| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Series | TrenchFET® |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.45nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 4V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SC-89-6 |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 - P-Channel 8V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Транзисторы полевые SI1051X-T1-GE3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.