РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI1405BDH-T1-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 132184

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 4V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.47W (Ta), 2.27W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SC-70-6 (SOT-363) 
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 

Описание

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6 - P-Channel 8V 1.6A (Tc) 1.47W (Ta), 2.27W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)

Транзисторы полевые SI1405BDH-T1-GE3

Datasheet SI1405BDH-T1-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Цена доступна по запросу
SI1405BDH-T1-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.