РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI2305ADS-T1-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 130449

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 4V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V 
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236) 
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 

Описание

MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 - P-Channel 8V 5.4A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Транзисторы полевые SI2305ADS-T1-GE3

Datasheet SI2305ADS-T1-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Цена доступна по запросу
SI2305ADS-T1-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.