Manufacturer | Vishay Siliconix |
Series | TrenchFET® |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1245pF @ 4V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3 - P-Channel 8V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Транзисторы полевые SI2305DS-T1-E3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.