РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI3407DV-T1-E3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 132539

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V 
Vgs (Max) ±12V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 6-TSOP 
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 

Описание

MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP - P-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Транзисторы полевые SI3407DV-T1-E3

Datasheet SI3407DV-T1-E3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Цена доступна по запросу
SI3407DV-T1-E3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.