| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Series | TrenchFET® |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP - P-Channel 60V 2.2A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Транзисторы полевые SI3459DV-T1-E3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.