РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI3499DV-T1-E3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 129171

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 750mV @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±5V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 7A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 6-TSOP 
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 

Описание

MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP - P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Транзисторы полевые SI3499DV-T1-E3

Datasheet SI3499DV-T1-E3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
SI3499DV-T1-E3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.