РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI4470EY-T1-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 132226

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min) 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.85W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 12A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-SO 
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 

Описание

MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC - N-Channel 60V 9A (Ta) 1.85W (Ta) Surface Mount 8-SO

Транзисторы полевые SI4470EY-T1-GE3

Datasheet SI4470EY-T1-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
SI4470EY-T1-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.