| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Series | TrenchFET® |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 9.3A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET - N-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Транзисторы полевые SI5456DU-T1-GE3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.