| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Series | TrenchFET® |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 6V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 - P-Channel 12V 6A (Ta) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Транзисторы полевые SI5475BDC-T1-GE3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.