РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI5499DC-T1-E3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 129300

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 8V 
Vgs (Max) ±5V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 4V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™ 
Package / Case 8-SMD, Flat Lead 

Описание

MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 - P-Channel 8V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Транзисторы полевые SI5499DC-T1-E3

Datasheet SI5499DC-T1-E3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 11 шт.
Цена доступна по запросу
SI5499DC-T1-E3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.