РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI5857DU-T1-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 132653

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series LITTLE FOOT® 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V 
Vgs (Max) ±12V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V 
FET Feature Schottky Diode (Isolated) 
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Dual 
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Dual 

Описание

MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET - P-Channel 20V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual

Транзисторы полевые SI5857DU-T1-GE3

Datasheet SI5857DU-T1-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Цена доступна по запросу
SI5857DU-T1-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.