РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI6463BDQ-T1-E3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 129329

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 5V 
Vgs (Max) ±8V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.05W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-TSSOP 
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 

Описание

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP - P-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Транзисторы полевые SI6463BDQ-T1-E3

Datasheet SI6463BDQ-T1-E3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 11 шт.
Цена доступна по запросу
SI6463BDQ-T1-E3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.