| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Series | TrenchFET® |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.05W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP - P-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Транзисторы полевые SI6463BDQ-T1-GE3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.