| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Series | TrenchFET® |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 50V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8 - N-Channel 100V 22A (Tc) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Транзисторы полевые SI7454CDP-T1-GE3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.