Manufacturer | Vishay Siliconix |
Series | TrenchFET® |
Packaging | Digi-Reel® |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 50V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30.5 mOhm @ 10A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8 - N-Channel 100V 22A (Tc) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Транзисторы полевые SI7454CDP-T1-GE3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.