РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI7457DP-T1-E3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 132711

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5230pF @ 50V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 7.9A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 
Package / Case PowerPAK® SO-8 

Описание

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 - P-Channel 100V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Транзисторы полевые SI7457DP-T1-E3

Datasheet SI7457DP-T1-E3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Цена доступна по запросу
SI7457DP-T1-E3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.