РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI7483ADP-T1-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 130673

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7 mOhm @ 24A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 
Package / Case PowerPAK® SO-8 

Описание

MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8 - P-Channel 30V 14A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Транзисторы полевые SI7483ADP-T1-GE3

Datasheet SI7483ADP-T1-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
SI7483ADP-T1-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.