РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI7485DP-T1-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 130676

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 5V 
Vgs (Max) ±8V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 
Package / Case PowerPAK® SO-8 

Описание

MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8 - P-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Транзисторы полевые SI7485DP-T1-GE3

Datasheet SI7485DP-T1-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
SI7485DP-T1-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.