РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI7601DN-T1-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 130461

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 5V 
Vgs (Max) ±12V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 52W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V 
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 
Package / Case PowerPAK® 1212-8 

Описание

MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8 - P-Channel 20V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Транзисторы полевые SI7601DN-T1-GE3

Datasheet SI7601DN-T1-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 13 шт.
Цена доступна по запросу
SI7601DN-T1-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.