Manufacturer | Vishay Siliconix |
Series | TrenchFET® |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 75V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 5.2W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 126 mOhm @ 3.6A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8 - N-Channel 150V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Транзисторы полевые SI7620DN-T1-GE3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.