| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Series | TrenchFET® |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK - P-Channel 20V 4A (Tc) 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Транзисторы полевые SI7621DN-T1-GE3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.